[发明专利]氮化镓半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，其中，该方法包括在氮化镓外延基底上依次沉积第一氮化镓层、第二氮化铝镓层，氮化镓外延基底包括硅衬底层、第二氮化镓层和第一氮化铝镓层；在第二氮化铝镓层的表面上沉积第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成源极接触孔和漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔内沉积第一金属层；对第一氮化硅层、第二氮化铝镓层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔，栅极接触孔的底部为第一氮化镓层的上表面；在栅极接触孔内依次沉积氮化硅介质层、第二金属层。消除得到的氮化镓半导体器件在栅极处可能产生的寄生电感，在高频时降低氮化镓半导体器件的开关损耗，进而提高了氮化镓半导体器件的性能和可靠性。

主权项

一种氮化镓半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积氮化镓，形成第一氮化镓层，其中，所述氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、第二氮化镓层和第一氮化铝镓层；在所述第一氮化镓层的表面上沉积氮化铝镓，形成第二氮化铝镓层；在所述第二氮化铝镓层的表面上沉积氮化硅，形成第一氮化硅层；对所述第一氮化硅层进行干法刻蚀，形成相对设置的源极接触孔和漏极接触孔；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内，沉积第一金属层，其中，所述第一金属层的高度大于所述源极接触孔、所述漏极接触孔的高度；对干法刻蚀后的第一氮化硅层、以及所述第二氮化铝镓层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔，其中，所述栅极接触孔的底部为所述第一氮化镓层的上表面；在所述栅极接触孔内沉积氮化硅介质层之后，在所述栅极接触孔内沉积第二金属层，其中，所述第二金属层的上表面高于所述第一氮化硅层的上表面。