[发明专利]氮化镓半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括在氮化镓外延基底上沉积第一氮化硅层，在第一氮化硅层上形成源极接触孔、漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔内、第一氮化硅层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成欧姆接触电极窗口；对整个器件进行高温退火处理，第一金属层与氮化镓外延基底中的氮化铝镓层反应形成合金，降低第一金属层与氮化铝镓层的接触电阻；在第一氮化硅层和氮化铝镓层上形成栅极接触孔；在栅极接触孔内沉积氮化硅介质层、在栅极接触孔和栅极接触孔的外边缘沉积第二金属层。降低第一金属层与氮化铝镓层的接触电阻，避免出现氮化镓半导体器件的漏电以及软击穿的问题，增强氮化镓半导体器件的性能和可靠性。

主权项

一种氮化镓半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积氮化硅，形成第一氮化硅层，其中，所述氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓层和氮化铝镓层；对所述第一氮化硅层进行干法刻蚀，形成相对设置的源极接触孔和漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔内、以及所述第一氮化硅层的表面上，沉积第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成欧姆接触电极窗口；利用氧气气体作为反应气体，对整个器件进行高温退火处理，以通过相互接触的刻蚀后的第一金属层与所述氮化铝镓层进行反应之后形成合金，以降低刻蚀后的第一金属层与所述氮化铝镓层的接触电阻；通过所述欧姆接触电极窗口，对所述第一氮化硅层和所述氮化铝镓层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔，其中，所述栅极接触孔的底部与所述氮化铝镓层的底部具有预设距离；在所述栅极接触孔内沉积氮化硅介质层之后，在所述栅极接触孔和所述栅极接触孔的外边缘沉积第二金属层。