[发明专利]使用公共释放材料形成多堆叠纳米线有效
| 申请号: | 201610176673.1 | 申请日: | 2016-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN106024582B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
| 发明(设计)人: | E·里欧班端 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;吕世磊 |
| 地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本公开涉及使用公共释放材料形成多堆叠纳米线。一种用于形成多堆叠纳米线器件的方法,包括在衬底上形成公共释放层,公共释放层包含公共释放材料。方法还包括:在公共释放层的第一部分上形成第一多层堆叠,第一多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层;以及在公共释放层的第二部分上形成第二多层堆叠,第二多层堆叠包括通过包含公共释放材料的至少一个层分离的至少两个层。方法还包括:将第一多层堆叠和第二多层堆叠中的每个多层堆叠图案化成一个或多个鳍;以及通过使用公共蚀刻工艺去除公共释放材料来从一个或多个鳍形成两个或更多个堆叠纳米线。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 公共 释放 材料 形成 堆叠 纳米 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:在衬底上形成公共释放层,所述公共释放层包含公共释放材料;在所述公共释放层的第一部分上形成第一材料的第一多层堆叠,所述第一多层堆叠包括至少两个层,通过包含所述公共释放材料的至少一个层分离;在所述公共释放层的第二部分上形成第二材料的第二多层堆叠,所述第二多层堆叠包括至少两个层,通过包含所述公共释放材料的至少一个层分离,其中所述第一材料不同于所述第二材料;将所述第一多层堆叠和所述第二多层堆叠中的每个多层堆叠图案化成一个或多个鳍;以及通过使用公共蚀刻工艺去除所述公共释放材料来从所述一个或多个鳍形成两个或更多个多堆叠纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





