[发明专利]基于电流源的高压开关控制电路在审
申请号: | 201610176185.0 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105843309A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 黄胜明;段权珍;苏林;刘慧敏 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46;H01M10/42 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 庞学欣 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于电流源的高压开关控制电路,包括电流源产生电路与开关电路;其中电流源产生电路包括运算放大器、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电阻R1;开关电路包括晶体管M0、晶体管M5、电阻R2;该基于电流源的高压开关控制电路能够使晶体管M0的源极和栅极之间的压差不受温度、工艺变化的影响,使高压开关得到精确的控制。 | ||
搜索关键词: | 基于 电流 高压 开关 控制电路 | ||
【主权项】:
一种基于电流源的高压开关控制电路,其特征在于,所述的基于电流源的高压开关控制电路包括电流源产生电路与开关电路;电流源产生电路包括运算放大器、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电阻R1;运算放大器的反相输入端接基准电压VREF,运算放大器的正向输入端连接到电阻R1的一端,电阻R1的另一端接地;晶体管M1、晶体管M2的源级均连接到电压VDD,晶体管M1、晶体管M2的栅极均连接到运算放大器的输出端,晶体管M1的漏极连接到运算放大器的正向输入端,晶体管M2的漏极连接到晶体管M3的漏极,晶体管M3的源极接地,晶体管M3的栅极连接到晶体管M2的漏极;晶体管M4的栅极连接到晶体管M3的栅极,晶体管M4的源极接地,晶体管M4的漏极与开关电路中晶体管M5的源极相连;开关电路包括晶体管M0、晶体管M5、电阻R2;晶体管M0的源极接待测电压V1,晶体管M0的栅极接晶体管M5的漏极,晶体管M0的漏极接输出电压V2,;电阻R2的一端接到待测电压V1,另一端接到晶体管M0的栅极;晶体管M5的栅极接到可调节电压S1,晶体管M5的源极连接到晶体管M4的漏极。
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