[发明专利]石墨烯场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610173589.4 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107230724A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/285;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种石墨烯场效应晶体管的制造方法。包括提供一玻璃衬底；原位清洗该玻璃衬底；加热该玻璃衬底至摄氏600度～1200度；直接在该玻璃衬底的表面生长至少一石墨烯层；以及在该石墨烯层的表面沉积一高介电常数材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管的制造方法，包括：提供一玻璃衬底；原位清洗该玻璃衬底；加热该玻璃衬底至摄氏600度～1200度；直接在该玻璃衬底的表面生长至少一石墨烯层；以及在该至少一石墨烯层的表面形成一高介电常数材料层，且该高介电常数材料层的介电常数的范围为3.0～30。
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