[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610169667.3 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024886A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;渡边行彦;宫原真一朗 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其具备由碳化硅构成的半导体基板以及被形成在所述半导体基板的表面上的表面电极，其中，所述半导体基板具备：n型的漂移区；p型的基区，其被形成在所述漂移区的表面侧；栅极沟槽，其从所述半导体基板的表面起延伸至贯穿所述基区并到达所述漂移区的位置；n型的源极区，其被形成在所述基区的表面侧且露出于所述半导体基板的表面的范围内；p型的第一接触区，其被形成在所述基区的表面侧且露出于所述半导体基板的表面的范围内；p型的第二接触区，其被形成在所述基区的表面侧且露出于所述半导体基板的表面的范围内；在俯视观察所述半导体基板的表面时，所述源极区和所述第一接触区在与所述栅极沟槽的侧面相接的范围内，在沿着所述栅极沟槽的方向上邻接形成，所述第二接触区在远离所述栅极沟槽的范围内，与所述源极区和所述第一接触区邻接形成；所述第一接触区的杂质浓度与所述第二接触区的杂质浓度相比较低。
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