[发明专利]一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构

摘要

本发明公开了一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，包括有n-GaAs衬底，在n-GaAs衬底上由下至上依次外延生长n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs组分渐变层、n-AlxGa1-xAs下限制层、AlxGa1-xAs下波导层、AlxGa1-xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1-xAs上势垒层、AlxGa1-xAs上波导层、p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层；AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于AlxGa1-xAs下波导层的厚度，量子阱有源层中包含一个AlxGa1-xAs双势垒阻挡层，p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。本发明可以降低激光器激射波长线宽，减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。

主权项

一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，其特征在于：包括有n‑GaAs衬底，在所述n‑GaAs衬底上由下至上依次外延生长n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、AlxGa1‑xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1‑xAs上势垒层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层；所述AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1‑xAs下波导层的厚度，所述量子阱有源层中包含一个AlxGa1‑xAs双势垒阻挡层，所述p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。