[发明专利]一种氧化硅刻蚀的方法

摘要

本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。

主权项

1.一种氧化硅刻蚀的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、PDMS印章的制作；取单体：引发剂10～3：1的体积比例下，将它们混合，然后使用洁净的玻璃棒不停的搅拌1～3小时，搅拌1～3小时后，得到的混合试剂，将混合试剂倒在光栅上，用玻璃棒使试剂均匀的涂覆在光栅表面，静置10～24小时；静置完成后，于50～70℃加热5～10小时得到PDMS弹性薄膜，将PDMS薄膜从光栅表面机械剥离获得表面有光栅图案的PDMS印章；步骤(2)、氧化硅的刻蚀；取表面生长有厚度为300nm的10mm X 8mm单晶硅片，在单晶硅片上滴5～15微升NaF饱和溶液，裁剪10mm X 8mm的PDMS印章，将印有光栅图案的一面，覆盖单晶硅片上，用10～50g重的物体压在印章上面使PDMS印章与单晶硅片接触紧密，然后在离单晶硅片附近，距离单晶硅片边缘1～3cm的地方滴加2～10ml盐酸溶液；整个过程在通风橱内的15mm X 15mm X 15mm的正方体容器内进行；6～20小时后将PDMS印章与单晶硅片分离，用去离子水清洗单晶硅片，获得表面有刻蚀图案的单晶硅片。