[发明专利]钙钛矿型太阳能电池在审
| 申请号: | 201610156423.1 | 申请日: | 2016-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN106252512A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
| 发明(设计)人: | 林直毅;铃鹿理生 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 对于钙钛矿型太阳能电池要求耐久性的进一步提高。一种钙钛矿型太阳能电池,其具备:第1集电极、配置于第1集电极上且包含半导体的电子输送层、配置于电子输送层上且包含钙钛矿型化合物的光吸收层、配置于光吸收层上且包含第1空穴输送材料和第2空穴输送材料的空穴输送层和配置于空穴输送层上的第2集电极,其中,设A为1价的阳离子、设B为2价的阳离子、设X为卤阴离子时,所述钙钛矿型化合物以组成式ABX3表示;第2空穴输送材料为第1空穴输送材料的氧化体,第1空穴输送材料为第2空穴输送材料的还原体,第1空穴输送材料的摩尔数C与上述第2空穴输送材料的摩尔数D满足0.1≤100C/(C+D)≤1.1 (1)。 | ||
| 搜索关键词: | 钙钛矿型 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿型太阳能电池,其具备:第1集电极、配置于所述第1集电极上且包含半导体的电子输送层、配置于所述电子输送层上且包含钙钛矿型化合物的光吸收层,其中,设A为1价的阳离子、设B为2价的阳离子、设X为卤阴离子时,所述钙钛矿型化合物以组成式ABX3表示,配置于所述光吸收层上且包含第1空穴输送材料和第2空穴输送材料的空穴输送层,其中,所述第2空穴输送材料为所述第1空穴输送材料的还原体,所述第1空穴输送材料为所述第2空穴输送材料的氧化体,所述第1空穴输送材料的摩尔数C与所述第2空穴输送材料的摩尔数D满足0.1≤100C/(C+D)≤1.1 (1),和配置于所述空穴输送层上的第2集电极。
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