[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

摘要

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用5T1C结构，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)，通过对第n条扫描信号(Scan(n))、第n‑1条扫描信号(Scan(n‑1))、与发光控制信号(Em(n))相组合，先后对应于一OLED开启电压提取阶段、一数据写入阶段、及一发光阶段，最终使得流过有机发光二极管(D1)的电流IOLED满足IOLED∝(VData‑Vref+VSS+VOLED‑VDD‑Vth1)2，由于有机发光二极管经长期工作劣化后的开启电压VOLED升高，IOLED随之增加，可定性的补偿有机发光二极管的亮度衰减，提升OLED显示装置的显示品质。

主权项

一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(Scan(n))，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(A)；第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入该像素驱动电路所在行的上一行对应的第n‑1条扫描信号(Scan(n‑1))，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接于第一节点(A)；电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)；第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第n‑1条扫描信号(Scan(n‑1))，源极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)电性连接于所述电容(C1)的另一端，源极(S)接入电源正电压(VDD)，漏极(D)电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的源极；第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(Em(n))，源极电性连接于所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于所述第五薄膜晶体管(T5)的漏极与所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS)。