[发明专利]一种在空气中制备高结晶度钙钛矿薄膜的方法在审
申请号: | 201610153251.2 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105609635A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 张青红;熊浩;李耀刚;王宏志;侯成义 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/48 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种在空气中制备高结晶度钙钛矿薄膜的方法,包括:将卤化铅溶于N,N‑二甲基甲酰胺中,得到卤化铅/N,N‑二甲基甲酰胺溶液;将卤化甲胺溶于异丙醇中,得到卤化甲胺/异丙醇溶液;将卤化铅/N,N‑二甲基甲酰胺溶液旋涂到导电基底上,60‑80℃退火10‑20分钟,得到卤化铅薄膜,置于加热台上,迅速用培养皿盖住样品,然后将二甲基亚砜滴加在培养皿边缘,60‑80℃下处理10‑20分钟,旋涂卤化甲胺/异丙醇溶液,迅速用培养皿盖住样品,90‑110℃下退火10‑20分钟,即得。本发明的方法有效提高了钙钛矿膜表面的平整度,有效的保证了钙钛矿薄膜,显著提高器件的可重复性,降低钙钛矿薄膜的制备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 空气 制备 结晶度 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在空气中制备高结晶度钙钛矿薄膜的方法,包括:(1)将卤化铅溶于N,N-二甲基甲酰胺中,60-80℃搅拌6-8小时,得到卤化铅/N,N-二甲基甲酰胺溶液;(2)将卤化甲胺溶于异丙醇中,60-80℃保温1-2小时,得到卤化甲胺/异丙醇溶液;(3)将步骤(1)中的卤化铅/N,N-二甲基甲酰胺溶液旋涂到清洗并烘干后的导电基底上,60-80℃退火10-20分钟,得到均匀的卤化铅薄膜;(4)将步骤(3)中的卤化铅薄膜置于加热台上,用培养皿盖住样品,然后将二甲基亚砜滴加在培养皿边缘,60-80℃下处理10-20分钟;(5)将步骤(2)中的卤化甲胺/异丙醇溶液旋涂到步骤(4)中处理得到的卤化铅薄膜上,用培养皿盖住样品,90-110℃下退火10-20分钟,得到高结晶度钙钛矿薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学,未经东华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610153251.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择