[发明专利]经图案化而具有静电放电保护的晶体管以及制造方法有效
申请号: | 201610153089.4 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105990335B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 李建兴;路香香;M·普拉布;M·I·纳塔拉詹 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/8232 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及经图案化而具有静电放电保护的晶体管以及制造方法,提供具有静电放电(ESD)保护的高电压半导体装置以及制造方法。该半导体装置包括位于衬底上的多个晶体管,其经图案化而具有横跨该衬底的部分的一个或多个共栅极,以及与该一个或多个共栅极关联的多个第一S/D接触及多个第二S/D接触。该第二S/D接触设于该衬底内的多个载流子掺杂区上方。一个或多个浮置节点设于该衬底上方且至少部分位于第二S/D接触之间,以促进在该衬底内定义该多个载流子掺杂区。例如,该载流子掺杂区可由具有共载流子区开口的掩膜定义,该一个或多个浮置节点与该共载流子区开口相交,并与该开口一起促进定义该多个独立的载流子掺杂区。 | ||
搜索关键词: | 图案 具有 静电 放电 保护 晶体管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:多个晶体管,位于衬底上,该多个晶体管包括:至少一个共栅极;多个第一S/D接触,与该至少一个共栅极关联;多个第二S/D接触,与该至少一个共栅极关联并与该多个第一S/D接触的其中一个相应,该多个第二S/D接触设于该衬底内的多个载流子掺杂区上方,且该多个第二S/D接触、相应的第一S/D接触以及该至少一个共栅极部分地定义该多个晶体管;以及至少一个浮置节点,至少部分设于该多个第二S/D接触的第二S/D接触之间,该至少一个浮置节点促进在该衬底内定义该多个载流子掺杂区,其中,该多个载流子掺杂区由具有位于该衬底上方的共载流子区开口的注入掩膜定义,该至少一个浮置节点至少部分与该共载流子区开口相交,并与该共载流子区开口一起促进在该衬底内定义该多个载流子掺杂区,该多个载流子掺杂区自对准该至少一个浮置节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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