[发明专利]单模GaSb基半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610152882.2 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106953235A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨成奥;张宇;廖永平;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。还提供了一种侧向耦合光栅的单模GaSb基半导体激光器的制备方法。通过该特定光栅结构，减小因为制作光栅而引起的二次外延等材料生长复杂的问题，同时可以有效避免铝的氧化问题。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 gasb 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其特征在于：在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。
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