[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610149628.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105826439B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 卫婷;闫晓红;叶青贤;齐胜利;沈燕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型GAN层、发光层、P型GAN层，P型GAN层上开设有延伸到N型GAN层的凹槽，P型GAN层上设有依次层叠的电流阻挡层和透明导电层，透明导电层内设有延伸到P型GAN层的通孔，通孔内设有P型电极，N型GAN层上设有N型电极，透明导电层和N型GaN层上层叠有钝化层，P型电极为圆柱体，P型电极的直径小于通孔的直径。本发明通过增大P型电极与P型GaN层之间的接触面积，P型电极能良好附着在P型GAN层上，有效避免P型电极脱落，提高LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型GaN 层、发光层、P型GaN 层，所述P型GaN 层上开设有延伸到所述N型GaN 层的凹槽，所述P型GaN 层上设有依次层叠的电流阻挡层和透明导电层，所述透明导电层内设有延伸到所述P型GaN 层的通孔，所述通孔内设有P型电极，所述N型GaN 层上设有N型电极，所述透明导电层和所述N型GaN层上层叠有钝化层，其特征在于，所述P型电极为圆柱体，所述P型电极的直径小于所述通孔的直径；所述透明导电层上设有P型电极引线，所述P型电极引线包括与所述P型电极连接的P型连接段、以及从所述P型连接段向所述N型电极延伸的P型延伸段，所述P型连接段的宽度大于所述P型延伸段的宽度。
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