[发明专利]具有EMI屏蔽部分的半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610147421.6 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN106449602B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 文起一;金明燮;申熙珉 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 具有EMI屏蔽部分的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装可包括:半导体器件,其被安装在封装基板上;导电顶,其被设置在所述半导体器件上方;多个导电壁,其被设置在所述封装基板上并且被排列在包围所述半导体器件的闭合回路线中。导电柱可被设置在所述封装基板上的导电壁之间的区域中并且接合到所述导电顶。所述半导体封装可包括填充所述封装基板与所述导电顶之间的空间的第一介电层。
搜索关键词: 具有 emi 屏蔽 部分 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装,该半导体封装包括:半导体器件,该半导体器件被安装在封装基板上;导电顶,该导电顶被设置在所述半导体器件上方;多个导电壁,所述多个导电壁被设置在所述封装基板上并且被排列以包围所述半导体器件;导电柱,所述导电柱被设置在所述封装基板上并接合到所述导电顶,所述多个导电柱被设置在所述导电壁之间的区域中以提供与所述导电壁和所述导电柱之间的空间对应的互连隧道;第一介电层,该第一介电层填充所述封装基板与所述导电顶之间的空间;第二介电层,该第二介电层覆盖所述导电顶的与所述第一介电层相对的表面;第一着陆图案,所述第一着陆图案被设置在所述封装基板的第一表面上并且与所述导电柱的底部结合;第一接地图案,所述第一接地图案被设置在所述封装基板的与所述第一着陆图案相对的第二表面上;以及第一内部连接器,所述第一内部连接器将所述第一着陆图案电连接到所述第一接地图案。
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