[发明专利]具有低k互连的逻辑装置的整合式磁性随机存取存储器

摘要

本发明涉及具有低k互连的逻辑装置的整合式磁性随机存取存储器。具体揭示一种装置及形成装置的方法。该方法包括设置一基板与一在该基板的第一、第二及第三区域上的第一上介电层。该第一上介电层在该第一及第二区域中包含一具有多个金属线路的第一上互连层。MRAM存储器单元包含一夹在顶端及底端电极之间的MTJ组件并形成在第二区域中。底端电极直接接触至第二区域的第一上互连层中的金属线路。介电层包含一在第一区域中具有双镶崁互连且在第二区域中具有镶崁互连的第二上互连层，并设置于第一上互连层上。第一区域中的双镶崁互连耦接至第一区域中的金属线路，而第二区域中的镶崁互连耦接至MTJ组件。

主权项

1.一种形成半导体装置的方法，其包含:设置一定义有至少第一、第二及第三区域的基板，该基板包含第一阶间介电(ILD)层，该第一阶间介电层包含具有在该第一区域中的第一区域金属线路及在该第二区域中的第二区域金属线路的第一互连层；在该第一阶间介电层上形成第一上介电层，其中，该第一上介电层用以作为在该第一阶间介电层上方的第二阶间介电层的第二通孔层的下部；图案化该第一上介电层以形成在该第二区域中的底端电极沟道及在该第三区域中的对准用沟道，其中该底端电极沟道暴露该第二区域金属线路，并且该对准用沟道具有较该底端电极沟道的底端电极沟道深度更深的对准用沟道深度，该对准用沟道延伸到该第一阶间介电层的该第一互连层中；形成包括在该底端电极沟道中的底端电极材料的底端电极以及包括在该对准用沟道中的该底端电极材料的底端电极对准用记号；形成在该底端电极上具有顶端电极的磁隧道结(MTJ)组件；以及形成在该第一上介电层上方的第二上介电层，其中，该第二上介电层覆盖该磁隧道结组件，该第二上介电层用以作为该第二阶间介电层的该通孔层的上部。