[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610141800.4 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106058005A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 赤松祐季;野口吉雄;小串昌弘;竹内辉雄;黑木敏宏;江越秀德;荒川崇;井上一裕;米屋俊宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高生产性的半导体发光装置及其制造方法。根据实施方式，半导体发光装置包含第1金属部件、半导体发光元件以及绝缘层。所述第1金属部件包含含有铜的第1金属板以及含有银的第1金属层。所述第1金属层配置在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间。所述绝缘层包含氧化硅。所述第1金属板具有与相对于从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件的第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面。所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于包括：第1金属部件，包含：含有铜的第1金属板及含有银的第1金属层；半导体发光元件，在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间配置着所述第1金属层；以及绝缘层，含有氧化硅；且所述第1金属板具有与相对于第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面，所述第1方向从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件；所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。
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