[发明专利]一种GaN HEMT器件制作方法在审
| 申请号： | 201610141799.5 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105655251A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN HEMT器件制作方法，HEMT器件外延制作时，首先采用MBE或MOCVD方法生长一层较薄的AlXGa1-XN成核层，利用纳米压印、刻蚀等技术，在AlXGa1-XN成核层上刻蚀出尺寸较小的图形；采用该图形化的AlXGa1-XN成核层进行GaN外延，并制作GaN HEMT器件。通过上述方式制作成的GaN HEMT器件，不仅具有图形化衬底外延横向生长缺陷较少的优点，同时尺寸较小的图形可以进一步避免通常的图形化衬底在外延过程中引入的孔洞，有利于后续的器件制作和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件制作方法，其特征在于，包括步骤：S1：在衬底上外延AlXGa1‑XN成核层；S2：在所述AlXGa1‑XN成核层上形成周期性的压印胶；S3：在所述AlXGa1‑XN成核层上制作图形，形成图形化的AlXGa1‑XN成核层；S4：在所述图形化的AlXGa1‑XN成核层上生长外延层；S5：在所述外延层上制作源极、漏极和栅极；其中，0≤X≤1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
