[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610141110.9 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105731368B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 叶滋婧;王健鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括提供基底；在所述基底表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成锗硅层，所述锗硅层覆盖部分第一绝缘层；形成覆盖所述锗硅层和第一绝缘层的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层、第一绝缘层至第一导电层表面，形成通孔，所述通孔的一侧侧壁暴露出所述锗硅层；在所述通孔内形成第二导电层，所述第二导电层底部与第一导电层连接。上述方法可以改善所述半导体结构的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成锗硅层，所述锗硅层覆盖部分第一绝缘层，所述锗硅层为电容上极板的一部分；形成覆盖所述锗硅层和第一绝缘层的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层、第一绝缘层至第一导电层表面，形成通孔，所述通孔的一侧侧壁暴露出所述锗硅层；在所述通孔内形成第二导电层，所述第二导电层底部与第一导电层连接，部分所述锗硅层上表面的第二绝缘层被所述第二导电层暴露出。
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