[发明专利]FFS模式的阵列基板及制作方法

摘要

本发明提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括玻璃基板，所述栅极设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其设置于该玻璃基板以及栅极上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上，所述半导体层包括沟道区域以及公共电极区域，在所述半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层，在所述半导体层的公共电极区域的半导体掺杂形成公共电极层；第二绝缘层，其沉积于该沟道半导体层、公共电极层以及第一绝缘层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔。本发明具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。

主权项

一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基板上形成栅极；在玻璃基板以及栅极上依次沉积第一绝缘层以及半导体层，该半导体层设置有沟道区域、公共电极区域以及位于公共电极区域与沟道区域之间的第三间隔区域；在该半导体层上涂布第二光阻层，将该第二光阻层上与所述第三间隔区域正对区域的光阻去除；对所述半导体层进行刻蚀，以在半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层，在该半导体层的公共电极区域形成待掺杂半导体层；去除待掺杂半导体层上的第二光阻层，并对该待掺杂半导体层进行掺杂以形成公共电极层；去除该沟道半导体层上的第二光阻层；在沟道半导体层、公共电极层以及第一绝缘层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔。