[发明专利]一种多孔纳米SnO2薄膜气敏材料的制备方法

摘要

本发明涉及SnO2薄膜气敏材料的制备，具体提供一种多孔纳米SnO2薄膜气敏材料的制备方法，该方法首先对钛片去除表面氧化层并清洗，然后按锡酸钠浓度为5～100g/L、添加剂浓度为0.5～10g/L称取锡酸钠和添加剂，溶于去离子水中配置成电解液；再采用微弧氧化工艺于钛片表面制备得二氧化锡气敏薄膜；最后将二氧化锡气敏薄膜从钛片上剥离。本专利能够制备得具有多孔结构的纳米二氧化锡薄膜材料，其二氧化锡薄膜的厚度、成分、形貌均可通过调节电参数、电解质成分和含量等实现调整，具有好的可控性；制备得SnO2颗粒小、纯度高，SnO2薄膜材料对乙醇气体表现出较高灵敏度值；且本发明工艺简单、重复性好。

主权项

1.一种多孔纳米SnO2薄膜气敏材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将钛片进行打磨抛光去除表面的氧化层，并清洗备用；步骤2：按锡酸钠浓度为5～100g/L、添加剂浓度为0.5～10g/L称取锡酸钠和添加剂，溶于去离子水中配置成电解液；步骤3：将经过步骤1处理的钛片置于装有步骤2配置的电解液的不锈钢槽体中，以钛片为阳极、不锈钢槽体为阴极，采用脉冲式微弧氧化电源供电，在脉冲电压为150～500V、频率为50～2000Hz、占空比为10～50％、电解液温度为20～80℃的条件下氧化1～60min，即在钛片表面制备得二氧化锡气敏薄膜；步骤4：将上述步骤3中制备得二氧化锡气敏薄膜从钛片上机械剥离，即得多孔纳米二氧化锡气敏薄膜材料。