[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201610136675.8 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105976862A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/26;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)包括：存储单元阵列(10A、10B)；读出放大器(12)，配置在存储单元阵列(10A、10B)间，由存储单元阵列(10A、10B)所共用；以及数据高速缓存(14)，以与读出放大器(12)夹隔存储单元阵列(10B)的方式配置，且保持来自读出放大器(12)的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1及第2存储单元阵列；读出放大器，配置在所述第1与第2存储单元阵列间，由所述第1及第2存储单元阵列所共用；以及数据高速缓存，以与所述读出放大器夹隔所述第2存储单元阵列的方式配置，且保持来自所述读出放大器的数据。
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