[发明专利]半导体存储装置及存储器系统无效
| 申请号： | 201610133579.8 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106504790A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 小玉枝梨华;岩井斎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/10;G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够抑制存储单元晶体管的劣化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具有第1及第2动作模式，且具备存储单元晶体管与字线。对于存储单元晶体管，在删除数据的情况下，施加删除脉冲，在写入数据的情况下，施加编程脉冲。在处于第1动作模式时，施加第1期间的删除脉冲或编程脉冲。在处于第2动作模式时，施加比第1期间长的第2期间的删除脉冲或编程脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 存储器 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于：是具有第1动作模式及第2动作模式的半导体存储装置；并且所述半导体存储装置具备：存储单元晶体管；以及字线，连接于所述存储单元晶体管；并且在删除所述存储单元晶体管的数据的情况下，向该存储单元晶体管施加删除脉冲；在向所述存储单元晶体管写入所述数据的情况下，向该存储单元晶体管施加编程脉冲；在处于所述第1动作模式时，施加第1期间的所述删除脉冲或所述编程脉冲；在处于所述第2动作模式时，施加比所述第1期间长的第2期间的所述删除脉冲或所述编程脉冲。
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