[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610133501.6 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106531779A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 铃木拓马;上原准市 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/41;H01L29/43;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种因电极膜剥落导致的可靠性降低得到抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备碳化硅层；第1电极；第1绝缘膜，设置在所述碳化硅层与所述第1电极之间；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在所述碳化硅层内的所述第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在所述第1碳化硅区域内；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在所述第2碳化硅区域内；第2电极，设置在所述碳化硅层的与所述第1电极相反侧，与所述碳化硅层电连接，且包含金属、硅及碳；以及第3电极，与所述第3碳化硅区域电连接，包含所述金属、硅及碳，且碳浓度高于所述第2电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：碳化硅层；第1电极；第1绝缘膜，设置在所述碳化硅层与所述第1电极之间；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在所述碳化硅层内的所述第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在所述第1碳化硅区域内；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在所述第2碳化硅区域内；第2电极，设置在所述碳化硅层的与所述第1电极相反侧，与所述碳化硅层电连接，且包含金属、硅及碳；以及第3电极，与所述第3碳化硅区域电连接，包含所述金属、硅及碳，且碳浓度高于所述第2电极。
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