[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610133009.9 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105679751B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐源哲;葛大成 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管的方法，所述方法包括下述步骤：在第一基底上方形成半导体堆叠件，半导体堆叠件包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；使第二导电型半导体层和有源层图案化以形成暴露第一导电型半导体层的至少一部分的多个接触孔；形成覆盖半导体堆叠件的侧壁的保护绝缘层；在半导体堆叠件上方形成第一焊盘和第二焊盘；以及形成哑凸块以提供用于排出来自半导体堆叠件的热的热通道，其中，第一焊盘通过所述多个接触孔电连接到第一导电型半导体层，第二焊盘电连接到第二导电型半导体层。
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