[发明专利]用于RS-485接口电路的自适应压摆率调节电路有效

专利信息
申请号: 201610132841.7 申请日: 2016-03-09
公开(公告)号: CN105589827B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 徐义强;康明辉;朱波 申请(专利权)人: 无锡新硅微电子有限公司;南京国博电子有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40;G06F13/42
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 聂汉钦
地址: 214028 江苏省无锡市新吴区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于RS‑485接口电路的自适应压摆率调节电路,包括调节电阻、大尺寸P型MOS管和大尺寸N型MOS管;大尺寸P型MOS管的栅极和大尺寸N型MOS管的栅极相连接;大尺寸P型MOS管的源极连接电源电压;大尺寸N型MOS管的源极接地;大尺寸P型MOS管的漏极和大尺寸N型MOS管的漏极相连接;所述调节电阻的第一端为信号输入端,第二端连接在大尺寸P型MOS管的栅极和大尺寸N型MOS管的栅极的公共端。本发明能够检测当前通信速率,并且在信号传输开始的短时间内即可自动设置对应的压摆率,做到在满足通信速率的前提下,尽量降低压摆率以减少EMI和信号反射。
搜索关键词: 用于 rs 485 接口 电路 自适应 压摆率 调节
【主权项】:
1.一种用于RS‑485接口电路的自适应压摆率调节电路,其特征在于:包括调节电阻(Rs)、大尺寸P型MOS管(PMOS1)和大尺寸N型MOS管(NMOS1);所述调节电阻(Rs)为可变电阻;大尺寸P型MOS管(PMOS1)的栅极和大尺寸N型MOS管(NMOS1)的栅极相连接;大尺寸P型MOS管(PMOS1)的源极连接电源电压(VDD);大尺寸N型MOS管(NMOS1)的源极接地;大尺寸P型MOS管(PMOS1)的漏极和大尺寸N型MOS管(NMOS1)的漏极相连接;所述调节电阻(Rs)的第一端为信号输入端(DI),第二端连接在大尺寸P型MOS管(PMOS1)的栅极和大尺寸N型MOS管(NMOS1)的栅极的公共端;大尺寸P型MOS管(PMOS1)的漏极和大尺寸N型MOS管(NMOS1)的漏极的公共端作为信号输出端(Output);所述大尺寸P型MOS管(PMOS1)和大尺寸N型MOS管(NMOS1)的宽度为1000um~1cm,长度为1um~10um;还包括控制电路;所述控制电路包括依次串联的电流源(I1)、第一开关(SW1)和第二开关(SW2);还包括电容(C1),所述电容(C1)的第一端连接第一开关(SW1)和第二开关(SW2)的公共端,第二端接地;还包括基准电路(Ref),所述基准电路(Ref)输出三个数值不同的基准电压(VT1、VT2、VT3);还包括三个比较器(COMP1、COMP2、COMP3),三个比较器(COMP1、COMP2、COMP3)的正向输入端都与电容(C1)的第一端相连接,负向输入端依次连接三个基准电压基准电压(VT1、VT2、VT3)。
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