[发明专利]一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610130690.1 申请日: 2016-03-08
公开(公告)号: CN105720198A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 钱宏昌;唐莹;韦一;彭应全 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 王佳健
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管及其制备方法及其制备方法,改善了现有的有机场效应晶体管输出电流小的问题,并使其具有温度控制开关的功能,其结构如图1所示,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10)。
搜索关键词: 一种 温度 控制 开关 有机 异质结 光敏 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,其特征在于,包括衬底( 1 )、开关电极( 2 )、栅电极( 3 )、绝缘层( 4 )、光敏有机半导体层( 5 )、电子传输层( 6 )、第一缓冲层( 701 )、第二缓冲层( 702 )、源电极( 801 )、漏电极( 802 )、第一封装层( 9)、第二封装层( 10 );其中:开关电极位于衬底之上,由具有相变性质的二氧化钒薄膜构成;栅电极位于开关电极之上,绝缘层位于栅电极之上,光敏有机半导体层位于绝缘层之上,电子传输层位于光敏有机半导体层之上,光敏有机半导体层和电子传输层形成体异质结;第一缓冲层、第二缓冲层分别位于光敏有机半导体上方两侧,中间未覆盖第一缓冲层、第二缓冲层的部分形成沟道;源电极、漏电极分别位于第一缓冲层、第二缓冲层之上,源电极、漏电极的宽度分别与第一缓冲层、第二缓冲层相等;第一封装层、第二封装层依此叠加在制备好第一缓冲层、第二缓冲层、源电极和漏电极的光敏有机半导体层之上;所述的开关电极的相变温度在35-78摄氏度;关电极相变前后电阻率相差104倍以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量学院,未经中国计量学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610130690.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top