[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610129617.2 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742423B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱学亮;张洁;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中发光二极管包括：依次包括：n型氮化物层、有源层、p型电子阻挡层、n型氮化物插入层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述n型氮化物插入层位于所述平面区，所述p型氮化物层形成于所述平面区并填充所述V型缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，依次包括：n型氮化物层、有源层、p型电子阻挡层、n型氮化物插入层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述n型氮化物插入层仅位于所述平面区，所述p型氮化物层形成于所述平面区并填充所述V型缺陷，所述平面区的p型电子阻挡层、n型氮化物插入层和p型氮化物层构成P‑N‑P结构，当注入电流时促使空穴全部从所述V型缺陷处注入所述有源层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610129617.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
