[发明专利]去气腔室有效
| 申请号： | 201610129184.0 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105734522B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 佘清;侯珏;叶华 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去气腔室，该去气腔室包括真空腔、辐射源，辐射源设置在真空腔中，以直接对其下方的真空腔内放置的待处理晶片进行辐射加热。本发明一改以往将辐射源设置在真空腔外的传统做法，而将辐射源直接设置在真空腔中，消除了以往石英窗所带来的弊端，简化了加热流程，缩短了去气工序的工艺准备时间，大大缩短了去气工序的周期，为提高PVD设备的产能创造了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 真空腔 去气 辐射源 腔室 待处理晶片 传统做法 辐射加热 工艺准备 加热流程 直接设置 石英窗 产能 | ||
【主权项】：
1.一种去气腔室，包括真空腔、辐射源，其特征在于，所述辐射源设置在所述真空腔中，以直接对放置于真空腔内，且位于所述辐射源下方的待处理晶片进行辐射加热，所述真空腔包括下腔体和辐射源安装座，所述安装座设置于所述下腔体顶部，所述辐射源安装在所述安装座上，所述去气腔室还包括上腔体，所述安装座设置于所述上腔体底部，所述辐射源经上腔体壁上设置的带有密封结构的接线柱与真空腔的外部电连接。
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