[发明专利]一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610126990.2 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105591020B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 朱本鹏;许炯;杨晓非;陈实;张悦;欧阳君 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/047;H01L41/08;H01L41/187;H01L41/22 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制备方法，所述高频超声换能器包括曲面衬底，所述曲面衬底的上表面为弧度60°～180°的环形，所述曲面衬底的上表面的全部或部分区域覆盖有曲面聚焦阵列，所述曲面聚焦阵列的底部为高度4μm～20μm的底电极，所述底电极之上设置有16个～256个平行设置的弧形阵元，所述弧形阵元的底部为高度7μm～100μm的铌镁酸铅钛酸铅厚膜，顶部为高度100nm～300nm的金电极，且所述弧形阵元的圆心位于所述曲面衬底上表面的中心轴上。通过本发明，从而制备了一种具有铌镁酸铅钛酸铅曲面厚膜聚焦阵列的超声换能器，在高分辨率的高频超声换能器中具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 曲面 聚焦 阵列 高频 超声 换能器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高频超声换能器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.利用移印法在曲面衬底的上表面制备高度为4μm～20μm的底电极，所述曲面衬底的上表面为弧度60°～180°的环形；S2.利用移印法在底电极上制备高度为7μm～100μm的铌镁酸铅钛酸铅厚膜；S3.利用溅射法在所述铌镁酸铅钛酸铅厚膜上制备高度为100nm～300nm的金电极；S4.使用激光平行切割所述金电极与所述铌镁酸铅钛酸铅厚膜，从而形成16个～256个平行设置的弧形阵元，使得所述弧形阵元的底部为铌镁酸铅钛酸铅厚膜，顶部为金电极，且所述弧形阵元的弧心位于所述曲面衬底上表面的中心轴上；所述高频超声换能器包括曲面衬底以及曲面聚焦阵列，所述曲面聚焦阵列覆盖于所述曲面衬底的上表面的全部或部分区域，所述曲面聚焦阵列的底部为底电极，所述底电极之上设置有16个～256个平行的弧形阵元，所述弧形阵元由其底部高度为铌镁酸铅钛酸铅厚膜及其顶部的金电极组成，且所述弧形阵元的弧心位于所述曲面衬底上表面的中心轴上。
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