[发明专利]一种基于MoS2/Au复合材料的免标记型电化学免疫传感器的制备方法及应用

摘要

本发明涉及电化学免疫传感技术领域，特别是涉及一种基于MoS₂/Au复合材料的免标记型电化学免疫传感器的制备方法及应用。以H₂O₂ 为电化学探针，MoS₂/Au复合材料为基底材料，基于其良好的成膜能力和生物相容性，大的比表面积，及MoS₂对H₂O₂的优异的催化性能等优点，显著提高了免疫传感器的稳定性和灵敏度。检测原理是利用抗原‑抗体免疫反应前后电流的变化。当抗原与修饰在电上的抗体反应后，形成免疫复合物是一种非电活性物质，严重阻碍了电子到电极表面的通道。随着抗原浓度增加，形成的免疫复合物也越多，电子到电极表面的通道就越少，电流信号减小。该传感器用于甲胎蛋白的检测，检测线性范围0.005 ng/mL~100 ng/mL，检出限2.5 pg/mL。

主权项

一种基于MoS₂/Au复合材料的免标记型电化学免疫传感器的制备方法及应用，其特征在于，包括以下步骤：(1)用1.0 μm、0.3 μm、0.05 μm的Al₂O₃抛光粉依次打磨直径为4 mm的玻碳电极(GCE)，分别在乙醇和超纯水中超声清洗3 min，氮气吹干，取6~10 μL MoS₂/Au复合材料分散液滴涂到电极表面，室温下晾干成膜，用PBS (pH 7.4) 缓冲溶液冲洗以除去未键合的MoS₂/Au复合材料得到Au/MoS₂/GCE；(2)取10 μL 8 ~10 μg/mL的甲胎蛋白抗体(anti‑AFP)标准溶液滴涂到电极表面，4 ℃下孵化过夜，用PBS (pH 7.4)缓冲溶液冲洗得anti‑AFP/Au/MoS₂/GCE；(3)取10 μL 质量分数为1~3%的牛血清白蛋白(BSA)溶液滴涂到电极表面，在37℃下孵化1 h，封闭非特异性结合的位点，用PBS (pH 7.4)缓冲溶液冲洗电极表面得到BSA/anti‑AFP/ Au/MoS₂/GCE；(4)滴加10 μL浓度为0.005~100 ng/mL的一系列不同浓度的甲胎蛋白抗原标准溶液用于与抗体特异性识别，在37 ℃下孵育60 min，用PBS(pH 7.4)缓冲溶液冲洗电极表面，制得一种基于MoS₂/Au的免标记型电化学免疫传感器 (AFP/BSA/anti‑AFP/Au/MoS₂/GCE)。