[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电力转换装置

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及电力转换装置。在半导体装置中有效缓和沟槽MIS构造的电场集中。半导体装置具备第一半导体层；第二半导体层；第三半导体层；具有侧面和底面的沟部；主要由第一绝缘材料形成，是从侧面起遍及底面而形成的膜，具有侧面膜部和底面膜部的第一绝缘体；主要由具有比第一绝缘材料高的相对介电常数的第二绝缘材料形成，至少在被侧面膜部和底面膜部围起的区域的角部形成的第二绝缘体；以及隔着第一绝缘体和第二绝缘体而形成于沟部的内侧的电极，第二绝缘体的部位中位于角部的部位的以底面膜部的表面为基准的厚度比第二绝缘体的部位中在与第二半导体层之间夹有侧面膜部的部位的以侧面膜部的表面为基准的厚度大。

主权项

一种半导体装置，其中，具备：第一半导体层，其具有n型及p型中的一方的特性；第二半导体层，其具有n型及p型中的与上述一方的特性不同的另一方的特性且层叠于上述第一半导体层；第三半导体层，其具有上述一方的特性且层叠于上述第二半导体层；沟部，其从上述第三半导体层起贯通上述第二半导体层并下陷到上述第一半导体层，且具有侧面和底面；第一绝缘体，其主要由第一绝缘材料形成，是从上述侧面起遍及上述底面而形成的膜，该第一绝缘体具有形成于上述侧面的侧面膜部和形成于上述底面的底面膜部；第二绝缘体，其主要由具有比上述第一绝缘材料高的相对介电常数的第二绝缘材料形成，至少在被上述侧面膜部和上述底面膜部围起的区域的角部形成；以及电极，其隔着上述第一绝缘体和上述第二绝缘体而形成于上述沟部的内侧，上述第二绝缘体的部位中位于上述角部的部位的以上述底面膜部的表面为基准的厚度Th1，比上述第二绝缘体的部位中在与上述第二半导体层之间夹有上述侧面膜部的部位的以上述侧面膜部的表面为基准的厚度Th2大。