[发明专利]制造装置以及制造方法有效
| 申请号: | 201610124832.3 | 申请日: | 2016-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN105938808B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
| 发明(设计)人: | 冈本纯 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种制造装置以及制造方法。沿着在QFN基板上设定成格子状的多个切断线分成三个阶段将QFN基板切断。首先,在沿着QFN基板的长度方向的切断线处,对与引线框架的连接杆的厚度大致相当的部分进行切削而形成切削槽。接着,在沿着QFN基板的宽度方向的切断线处,将引线框架和密封树脂一并切断。接着,在沿着QFN基板的长度方向的切削槽中,将与剩余的密封树脂的厚度相当的部分切断。通过在切削槽中仅将密封树脂的部分切断,最终能够减小将QFN基板单片化成QFN产品时的加工负荷。因而,能够防止QFN产品从切断用夹具的预定位置偏移或飞散。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造装置,该制造装置在通过对被切断物进行切断来制造与多个区域的每一个区域相对应的多个产品时被使用,该被切断物具有沿着第1方向延伸的多个第1切断线、沿着与所述第1方向相交的第2方向延伸的多个第2切断线、分别由所述第1切断线和所述第2切断线围成的所述多个区域,其中,该制造装置包括:载置台,其用于载置所述被切断物;旋转刀,其用于切断所述被切断物;移动机构,其用于使所述载置台和所述旋转刀以相对的移动速度相对移动;以及控制部,其用于至少控制所述旋转刀的旋转和由所述移动机构进行的移动,所述控制部对所述制造装置进行控制,以使所述制造装置按照第2动作、第1动作、第3动作的顺序进行如下的第1动作~第3动作,从而利用所述第1动作~第3动作将被切断物单片化:(1)在所述多个第1切断线处、所述旋转刀以第1移动速度切断所述被切断物的第1动作;(2)在所述多个第2切断线处、所述旋转刀以第2移动速度对所述被切断物的整个厚度中的一部分的厚度进行切削、从而形成切削槽的第2动作;(3)在所述切削槽中、所述旋转刀以第3移动速度将所述被切断物的整个厚度中的剩余的厚度切断的第3动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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