[发明专利]高亮度发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610123884.9 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105679907B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高亮度发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN层，所述N型GaN层包括依次覆盖在所述u型GaN层上的第一N型GaN子层、第二N型GaN子层和第三N型GaN子层，本发明中第二N型GaN子层采用多个生长周期生长而成，且每个生长周期中，先生长一定厚度的GaN，然后再向GaN中通入Si源进行掺杂，这种方式生长出的第二N型GaN子层的载流子浓度较高，因而横向电阻较小，另外发光二极管外延片的台阶面位于第二N型GaN子层上，所以电流由N电极传输下来时横向扩展较为容易，大大提高发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 高亮度发光二极管 外延片 发光二极管 生长周期 衬底 制备 载流子 多量子阱有源层 发光二极管外延 横向电阻 横向扩展 台阶面 生长 覆盖 掺杂 传输 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管外延片，所述高亮度发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；其特征在于，所述N型GaN层包括依次覆盖在所述u型GaN层上的第一N型GaN子层、第二N型GaN子层和第三N型GaN子层，其中，所述高亮度发光二极管外延片的台阶面位于所述第二N型GaN子层上，所述第二N型GaN子层采用多个生长周期生长而成，在每个生长周期中，先生长一定厚度的GaN，然后再向所述GaN中通入Si源进行掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610123884.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光器件
- 下一篇：一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
