[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201610122028.1 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105938796B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 三浦繁博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开地设置，能够向旋转台的表面供给与第1反应气体发生反应的第2反应气体；活化气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部以及第2反应气体供给部分开地设置，能够向旋转台的表面供给被活化了的蚀刻气体；多个吹扫气体供给部，其沿着旋转台的周向与活化气体供给部接近地设置，能够向旋转台的表面供给吹扫气体，能够对从多个吹扫气体供给部分别供给的吹扫气体的流量独立地进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向所述旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部分开地设置，能够向所述旋转台的表面供给与所述第1反应气体发生反应的第2反应气体；活化气体供给部，其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部以及所述第2反应气体供给部分开地设置，包括喷出部，该喷出部形成有能够向所述旋转台的表面供给被活化了的蚀刻气体的喷出孔；多个吹扫气体供给部，其沿着所述旋转台的周向与所述喷出孔接近地设置，能够向所述旋转台的表面供给吹扫气体，该基板处理装置能够对从所述多个吹扫气体供给部分别供给的所述吹扫气体的流量独立地进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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