[发明专利]具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法有效
申请号: | 201610121115.5 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105938831B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | E·伊瓦诺夫;J·A·塞尔瑟多 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。提供具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。在某些配置中,集成电路包括:输入节点和电连接到输入节点的保护设备或过压开关。该保护设备包括:第一阱和第二阱。第二阱被定位成邻近所述第一阱和具有相反于第一阱的导电类型。此外,该保护设备的第一端子电连接到第一阱和到IC的输入节点。该保护设备还包括漏电流补偿电路,用于基于所述第一端子的电压电平控制第二阱的电压电平,以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。 | ||
搜索关键词: | 具有 有源 泄漏 电流 补偿 开关 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:衬底;输入节点;和形成在所述衬底中和/或上的保护设备,所述保护设备包括:电连接到所述输入节点的第一端子;半导体的第一阱,电连接到所述第一端子并包括形成在所述第一阱中的n型有源区和形成在所述第一阱中的p型有源区;半导体的第二阱,邻近所述第一阱并包括形成在所述第二阱中的至少一个有源区,其中,所述第二阱具有相反于第一阱的导电类型;和漏电流补偿电路,配置成基于所述第一端子的电压电平控制所述第二阱的电压电平,以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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