[发明专利]具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201610121115.5 申请日: 2016-03-03
公开(公告)号: CN105938831B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: E·伊瓦诺夫;J·A·塞尔瑟多 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。提供具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。在某些配置中,集成电路包括:输入节点和电连接到输入节点的保护设备或过压开关。该保护设备包括:第一阱和第二阱。第二阱被定位成邻近所述第一阱和具有相反于第一阱的导电类型。此外,该保护设备的第一端子电连接到第一阱和到IC的输入节点。该保护设备还包括漏电流补偿电路,用于基于所述第一端子的电压电平控制第二阱的电压电平,以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。
搜索关键词: 具有 有源 泄漏 电流 补偿 开关 装置 方法
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:衬底;输入节点;和形成在所述衬底中和/或上的保护设备,所述保护设备包括:电连接到所述输入节点的第一端子;半导体的第一阱,电连接到所述第一端子并包括形成在所述第一阱中的n型有源区和形成在所述第一阱中的p型有源区;半导体的第二阱,邻近所述第一阱并包括形成在所述第二阱中的至少一个有源区,其中,所述第二阱具有相反于第一阱的导电类型;和漏电流补偿电路,配置成基于所述第一端子的电压电平控制所述第二阱的电压电平,以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。
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