[发明专利]基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610120516.9 申请日: 2016-03-03
公开(公告)号: CN105720205A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 张宇;陈真;王鹤林;张晓宇;吴华;于伟泳;张铁强 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/66
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 朱世林;王寿珍
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明主要涉及一种新型发光薄膜,具体涉及的是基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法。采用PEI与ZnO作为电子输运层,钙钛矿量子点发光薄膜作为荧光层,其结构包括:ITO薄膜的衬底(1)、沉积在衬底上的ZnO层(2)、旋涂在ZnO纳米晶薄莫上的PEI层(3)、旋涂在被PEI包覆的ZnO纳米晶薄膜上的钙钛矿量子点(4);所述的ZnO层与PEI层共同组合成电子迁移层;所述的无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层(4)。本发明所制备的钙钛矿量子点发光薄膜相比现有工艺制备的钙钛矿量子点发光薄膜,其荧光量子产率可提高2~3倍。
搜索关键词: 基于 pei 高效 钙钛矿 量子 发光 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜,其特征在于:采用PEI与ZnO作为电子输运层,钙钛矿量子点发光薄膜作为荧光层,其结构包括:ITO薄膜的衬底(1)、沉积在衬底上的ZnO层(2)、旋涂在ZnO纳米晶薄莫上的PEI层(3)、旋涂在被PEI包覆的ZnO纳米晶薄膜上的钙钛矿量子点(4);所述的ZnO层与PEI层共同组合成电子迁移层;所述的无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层(4)。
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