[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201610117497.4 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105679891A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底的第一表面形成外延层，并在所述外延层上制作电极；减薄所述衬底；采用钻石刀对所述衬底进行划片，在所述衬底的第二表面形成V型缺口，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面；在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜；沿所述V型缺口对所述衬底的第二表面进行隐形切割，在所述衬底内形成裂缝；沿所述V型缺口对所述衬底的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片。本发明整个劈裂过程没有使用激光，不会产生烧痕、碎屑等副产物进而吸收LED芯片的出射光，提高LED芯片的出光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面形成外延层，并在所述外延层上制作电极；减薄所述衬底；采用钻石刀对所述衬底进行划片，在所述衬底的第二表面形成V型缺口，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面；在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜；沿所述V型缺口对所述衬底的第二表面进行隐形切割，在所述衬底内形成裂缝；沿所述V型缺口对所述衬底的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片。
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