[发明专利]非易失性半导体存储装置及其擦除方法有效
| 申请号： | 201610116593.7 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106683700B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王炳尧 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其擦除方法。本发明的非易失性半导体快闪存储器包含形成有NAND型串的存储器阵列。存储器阵列包含多个全局块，一个全局块包含多个块，一个块包含多个NAND型串，多个全局块的各个分别形成阱内全局块选择部件，选择多个全局块中的任一全局块；块选择部件，自由全局块选择部件选择的全局块内的块中选择块；擦除部件，擦除由块选择部件选择的块。当对所选择的全局块进行选择块的擦除后，下一选择块处于邻接的关系时，将蓄积于其中一P阱上的电荷放电至另一P阱后进行下一选择块的擦除。由此在邻接的P阱间共用电荷而实现低功耗化。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：存储器阵列，包括多个全局块，一个所述全局块包括多个块，一个所述块包括多个与非串，多个全局块的各个分别形成在阱内；全局块选择部件，选择多个所述全局块中的任一个全局块；块选择部件，自由所述全局块选择部件选择的所述全局块内的多个所述块中选择块；以及擦除部件，擦除由所述块选择部件选择的所述块，所述擦除部件对所选择的所述全局块的阱施加擦除电压，且对所选择的所述块的字线施加基准电压，在所述擦除部件对其中一阱的所述块进行擦除后进而对另一阱的所述块进行擦除的情况下，将积累在所述其中一阱的电荷供给至所述另一阱。
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