[发明专利]影像感测器以及影像提取装置有效
申请号: | 201610114450.2 | 申请日: | 2016-03-01 |
公开(公告)号: | CN106941106B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 郭武政;林国峰;林宗澔;萧玉焜 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 周滨;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种影像感测器及影像提取装置。该影像感测器包括一感测层、一透光板、以及一第一波导模态共振结构。感测层包括用以感测一光束的多个感测单元。透光板位于感测层之上。第一波导模态共振结构设置于透光板的一第一区域上,且止挡光束的一第一波段通过。 | ||
搜索关键词: | 影像 感测器 以及 提取 装置 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测器,其特征在于,包括:一感测层,包括多个感测单元,用以感测一光束;多个微透镜,设置于该感测层上;一透光板,位于所述多个微透镜之上;以及一第一波导模态共振结构,设置于该透光板的一第一区域上,且止挡该光束的一第一波段通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的