[发明专利]一种LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201610110991.8 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105720152B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 林传强;周佐华;卢国军 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的第一目的在于提供一种LED外延结构，依次包括蓝宝石衬底、低温缓冲层层、GaN层、掺杂Si的N型GaN层、发光层、P型AlGaN层和掺Mg的P型GaN层，发光层包括多个发光单层，每个发光单层由下至上依次包括低铟组分层、铟渐变层、高铟组分层和GaN垒层，其中：低铟组分层和高铟组分层中铟的含量固定不变；铟渐变层铟的含量渐变。本发明将发光层设计为四个部分组合，通过各层中铟含量的分布起伏，调节发光层的能带，提高电子和空穴波函数的交叠积分，提高电子和空穴的复合效率，从而提高LED内量子效率。本发明的第二目的在于提供一种LED外延结构的生长方法，工艺步骤精简，操作方便，便于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于：由下至上依次包括蓝宝石衬底(1)、低温缓冲层(2)、GaN层(3)、掺杂Si的N型GaN层(4)、发光层(5)、P型AlGaN层(6)以及掺Mg的P型GaN层(7)；所述发光层(5)包括周期数为6‑16个发光单层(51)，每个所述发光单层(51)由下至上依次包括低铟组分层(511)、铟渐变层(512)、高铟组分层(513)以及GaN垒层(514)，其中：所述低铟组分层(511)中铟的含量保持不变，其含量为3％‑10％；所述高铟组分层(513)中铟的含量固定不变，其含量为20％‑30％；由下至上，所述铟渐变层(512)内铟的含量由所述低铟组分层(511)中铟的含量渐变到所述高铟组分层(513)中铟的含量。
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