[发明专利]一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法有效
| 申请号： | 201610110669.5 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105788864B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 肖永光;王江;马东波;唐明华 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06;C04B35/491;C04B35/622;C04B35/624 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤①前驱体溶液的配置配置不同锆钛比的Pb(Zr1‑xTix) O3溶液；②用溶胶‑凝胶法制得PZT铁电薄膜电容器；③对PZT铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析锆钛比对PZT铁电薄膜电容器电学性能的影响，得到提高PZT铁电薄膜负电容的最佳比率。本发明提出了一种提高PZT铁电薄膜负电容的有效方法，对低电压、低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有非常重要的指导意义。 | ||
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【主权项】：
一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法，采用溶胶‑凝胶法制备不同锆钛组分比x的PZT铁电薄膜电容器，包括PZT前驱体溶胶的制备及PZT铁电薄膜电容器的制备，所述的PZT铁电薄膜电容器的制备包括在HfO2绝缘介质/硅衬底结构上涂覆PZT前驱体溶胶；其特征在于，锆钛组分比x为（1.2~5）/（52~72）的物质的量之比，且x小于0.065。
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