[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610109489.5 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106531787A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;森塚宏平;堀阳一;山下敦子;新田智洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/417;H01L21/28;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有接触电阻小的电极的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备碳化硅层；第1电极；绝缘膜，设置在碳化硅层与第1电极之间；第2电极，设置在碳化硅层的与第1电极相反的一侧，电连接于碳化硅层；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在碳化硅层内的第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在第1碳化硅区域内的第1电极侧；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第1电极侧；第2导电型的第4碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第3碳化硅区域的第2电极侧；及第3电极，一端设置在比第3碳化硅区域更靠第1电极侧，另一端设置在比第3碳化硅区域更靠第4碳化硅区域侧，包含金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：碳化硅层；第1电极；第1绝缘膜，设置在所述碳化硅层与所述第1电极之间；第2电极，设置在所述碳化硅层的与所述第1电极相反的一侧，且电连接于所述碳化硅层；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在所述碳化硅层内的所述第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在所述第1碳化硅区域内的所述第1电极侧；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在所述第2碳化硅区域内的所述第1电极侧；第2导电型的第4碳化硅区域，设置在所述第2碳化硅区域内的所述第3碳化硅区域的所述第2电极侧；以及第3电极，一端设置在比所述第3碳化硅区域更靠所述第1电极侧，另一端设置在比所述第3碳化硅区域更靠所述第4碳化硅区域侧，且包含金属硅化物。
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