[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置

摘要

本发明提供能减低成膜的Ni电极膜的膜缺损的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置。半导体装置(100)在形成半导体元件(150)的半导体基板(108)的n⁺型半导体层(108c)的第1表面(108d)具备：第1半导体芯片的电极结构体(151)，其与该半导体元件(150)电连接，按照Al或Al合金所构成的第1Al金属层(105)、Cu扩散防止层(107)、Al或Al合金所构成的第2Al金属层(106)、以及Ni层(104)的顺序将它们形成；和导电构件(102)，其配置在Ni层(104)的表面(104a)，经由铜烧结层(103)与第1半导体芯片的电极结构体(151)接合，第2Al金属层(106)的表面(106a)的Al晶粒的结晶面方位主要为(110)面。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，在形成半导体元件的半导体基板的第1表面具备：第1半导体芯片的电极结构体，其与所述半导体元件电连接，按照Al或Al合金所构成的第1Al金属层、Cu扩散防止层、Al或Al合金所构成的第2Al金属层、以及金属层的顺序将它们形成；和导电构件，其配置在所述第1半导体芯片的电极结构体中的所述金属层的表面，经由铜烧结层与所述第1半导体芯片的电极结构体接合，所述第2Al金属层的表面的Al晶粒的结晶面方位主要为(110)面。