[发明专利]一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面的四周的背面阻焊槽，带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，P型阳极扩散区和阳极电极A设置在芯片的正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，P型对通隔离区的一个角的面积比其它三个角大。该单向可控硅芯片提高了产品的di/dt值和散热能力，在应用时可以多只可控硅共用一个散热片，其制作方法工艺步骤简单，加工方便，并改善了产品的关键性能。

主权项

一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、P型对通隔离区、门极电极G、N型长基区、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面四周的背面阻焊槽，其特征在于：所述P型阳极扩散区顶面设有阳极电极A，所述P型对通隔离区环绕在N型长基区四周，所述门极电极G置于P型对通隔离区之上，所述正面环状钝化沟槽位于阳极电极A和门极电极G之间，所述P型阳极扩散区和阳极电极A设置在N型长基区正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，所述带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，所述P型短基区位于N型长基区和带有短路孔的N+阴极区之间并与P型对通隔离区对通连接成一体，所述环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区的一个角的圆弧半径大于其它三个角的圆弧半径，便于设置门极焊线垫，所述门极电极G从P型对通隔离区的正面引出并在正面环状钝化沟槽的外部环绕一周且设有一个焊线垫。