[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201610098824.6 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105914144B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 渡边光;辻晃弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术中抑制由氮化硅构成的第2区域被削去且使处理时间较短的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻而执行一次以上的序列。一次以上的序列中的各个序列具有如下工序：在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物的第1工序和利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2工序。在执行一次以上的序列之后，生成含有碳氟化合物气体的第2处理气体的等离子体而对第1区域进一步进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻，其中，/n所述被处理体具有划分出凹部的所述第2区域、以将该凹部填埋且覆盖所述第2区域的方式设置的所述第1区域、以及设置在所述第1区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上提供具有宽度比该凹部的宽度大的开口，/n该蚀刻方法包括一次以上的序列和在执行所述一次以上的序列之后的第3工序，/n该一次以上的序列是为了在包括使所述第2区域暴露时在内的期间内对所述第1区域进行蚀刻而执行的，/n该一次以上的序列中的各个序列具有如下工序：/n第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的第1处理气体的等离子体，以便在所述被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及/n第2工序，在该第2工序中，向所述处理容器供给包括非活性气体且不包括碳氟化合物气体的处理气体，生成非活性气体的等离子体，并利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，/n其中，在所述第3工序中，利用在所述处理容器内生成的、含有碳氟化合物气体的第2处理气体的等离子体来对所述第1区域进行蚀刻，/n所述第3工序中的所述第1区域的蚀刻速度高于所述第2工序中的所述第1区域的蚀刻速度，/n在利用通过执行所述一次以上的序列而形成的堆积物来保护所述第2区域的状态下执行所述第3工序。/n
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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