[发明专利]具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610097758.0 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105633228B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层；其特征在于，所述M+N个量子垒层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子垒层为Alx1Ga1‑x1N/GaN结构，所述M+N个量子垒层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子垒层为Alx2Ga1‑x2N/GaN结构，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0或1，0＜x1＜1，0＜x2＜1，且x1大于x2。 | ||
| 搜索关键词： | 量子垒层 发光二极管外延 载流子 多量子阱有源层 量子阱层 量子垒 衬底 制备 发光二极管 交替生长 正整数 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型量子垒的发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层；其特征在于，所述M+N个量子垒层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子垒层为Alx1Ga1‑x1N/GaN结构，所述M+N个量子垒层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子垒层为Alx2Ga1‑x2N/GaN结构，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0或1，且x1大于x2，0.1≤x1≤0.15，0＜x2≤0.06。
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