[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201610097577.8 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105633170A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐华;徐苗;李民;李洪濛;邹建华;陶洪;王磊 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510730 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置，薄膜晶体管设置有将有源层和源漏电极隔开的有源层保护层，有源层保护层为(MO)x(SnO2)y薄膜，其中0≤x<1，0.4 ≤y≤1，且 x+y=1，M为硅、铝、镓、镁、钙、锶、铋、钽、铪、锆、钪、钇或镧系稀土元素中的一种或两种以上任意元素的组合。本发明实现了通过湿法背沟道刻蚀方式制备金属氧化物薄膜晶体管，具有制备工艺简单，所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好，成本低廉。具有该金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板和显示装置也具有稳定性好，成本低廉的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 以及 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：设置有将有源层和源漏电极隔开的有源层保护层，所述有源层保护层为(MO)x(SnO2)y薄膜，其中 0 ≤ x < 1，0.4 ≤ y ≤ 1，且 x+y=1，M为硅、铝、镓、镁、钙、锶、铋、钽、铪、锆、钪、钇或镧系稀土元素中的一种或两种以上任意元素的组合。
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