[发明专利]磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201610092670.X | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105914293B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明;海老原美香 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;付曼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供以位置偏差较小地能够在形成霍尔元件、电路的衬底上配置高磁导率且顽磁力小的磁会聚板且抑制了操作工序的增加的磁传感器及其制造方法。采用一种磁传感器及其制造方法，其特征在于，在硅衬底上形成霍尔元件、电路的工序中，形成由以与磁会聚板相同的形状及大小凹陷的图案构成的磁会聚板保持部，向所述磁会聚板保持部插入以与形成霍尔元件、电路的硅衬底不同的工序制作的磁会聚板。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁传感器的制造方法，所述磁传感器具备设在半导体衬底的表面的霍尔元件和隔着保护膜设在所述霍尔元件上的磁会聚板，其特征在于，包括：在所述霍尔元件上形成保护膜的工序；部分地减去所述保护膜而形成凹形状的磁会聚板保持部的工序；与形成所述磁会聚板保持部的所述半导体衬底另行地以无关系的方式形成磁会聚板，并对所述磁会聚板进行高温退火的工序；以及将所述高温退火后的所述磁会聚板插入所述磁会聚板保持部并加以固定的工序。
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