[发明专利]发光二极管的外延结构和外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201610091902.X | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105720149B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 霍丽艳 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的外延结构和外延结构的制备方法。本发明提供的发光二极管的外延结构，包括：在衬底上由下至上依次生长的U型氮化镓GaN层、N型GaN层、功能层、发光层和P型GaN层，所述功能层掺入硅元素、铝元素和铟元素。本发明提供的发光二极管的外延结构，提高了发光二极管的发光效率，增强了发光二极管对抗静电击穿的能力，提高了发光二极管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：在衬底上由下至上依次生长的U型氮化镓GaN层、N型GaN层、功能层、发光层和P型GaN层，所述功能层掺入硅元素、铝元素和铟元素；其中，所述功能层为超晶格结构，所述功能层至少包括3个由下至上依次生长的循环层，所述循环层包括由下至上依次生长的掺硅元素的N型GaN层，掺硅元素、铝元素和铟元素的第一N型铝铟氮化镓AlInGaN层，掺硅元素、铝元素和铟元素的第二N型AlInGaN层，且所述掺硅元素的N型GaN层、所述第一N型AlInGaN层和所述第二N型AlInGaN层的掺杂浓度不同；所述循环层中所述第一N型AlInGaN层和所述第二N型AlInGaN层中的铝元素的组分呈线性增加，所述第一N型AlInGaN层和第二N型AlInGaN层中的铟元素的组分呈线性增加。
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